一、半导体产品分类

按照国际通行的半导体产品标准方式进行分类，半导体可以分为四类：集成电路，分立器件，传感器和光电子器件。半导体产品分类：

二、存储芯片

1. 定义

存储芯片又叫做半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态，从而实现数据存储功能。

2. 分类

（1）易失性存储芯片： 这类存储芯片在断电后会丢失其存储的数据。它们通常用于临时存储数据，如运行中的程序和处理器的缓存。

• RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）：快速临时数据存储，用于CPU的运算处理。

• DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：需要定期刷新电子信息，以维持存储的数据。

• SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）：不需要定期刷新，比DRAM更快但更贵，常见于高速缓存中。

（2）非易失性存储芯片： 这些芯片即使在没有电源的情况下也能长期保存数据，适用于存储程序代码和用户数据。

• ROM（Read-Only Memory，只读存储器）：预先编程的存储芯片，通常包含不能或难以更改的数据。

• PROM（Programmable ROM，一次性编程的只读存储器）：可以由用户编程一次，之后就变成只读。

• EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦写可编程只读存储器）：可以通过紫外线擦除数据并重编程。

• EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）：可以电流擦除和重编程，操作更加方便。

• Flash Memory：一种广泛使用的电脑擦写可编程存储技术，用于USB闪存驱动器、固态硬盘等设备。

• NAND Flash：具有高存储密度、较低的每位成本，适用于大容量存储。

• NOR Flash：具有更快的读取速度，适用于代码执行和较小容量存储。

其中，DRAM、NAND、NOR 是三大主流存储。存储芯片按照断电后数据是否丢失， 可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储器断电后会丢失数据，主 要包括DRAM，非易失性存储器断电后能保留数据，主要包括NAND、NOR FLASH。

• 根据Digitimes 统计，在2022 年全球存储芯片市场中，DRAM、NAND、NOR 分别 占据了57%、40%、2%的份额。目前在DRAM 产品中，DDR4 仍然是市场主流， 其具有良好的性价比和广泛的适配性，但在容量、功耗等方面存在劣势，未来在服 务器等需求带动下，DDR5 和HBM 渗透率将会不断提升。

• 在NAND 产品中，TLC占据了主要市场，是使用最广泛的闪存。3D 堆叠是NAND 的主流工艺，堆叠的层数将会持续增加，向高密度、大容量方向不断发展。

• 相比于DRAM 和NAND，NOR Flash 的制程演进较为缓慢，目前主流制程在5xnm 和4xnm。随着物联网、消费类电子、汽车电子的快速发展，NOR 产品需求将不断增加，旺宏、华邦电子等头部厂商已投入3D NOR 的研发，未来NOR Flash 产品将不断向中大容量迈进。

3. 行业分析

（1）市场规模

存储行业市场空间巨大，是最大的细分半导体市场。

存储器市场空间巨大，据WSTS 预测，2023 年全球存储芯片市场规模将达到 1675 亿美元，其中中国存储芯片市场规模将达 6492 亿元（约 942 亿美元）。同时，存储器也是半导体各类细分行业中最大的部分，其市场规模约占整个半导体行业的 27%。

（2）存储芯片市场竞争格局

• 全球存储芯片市场

在全球存储芯片市场中，三星、海力士、美光三大厂商在 DRAM 供给端占据龙头地位。根据 Gartner，三大厂商出货量占比超过 95%。三星占比最高，份额长期在 40%以上。海力士占比约为 30%，美光占比超过 20%。

NAND Flash 市场竞争较 DRAM 更加激烈。NAND Flash 供给端存在三星、铠侠、美光、西部电子、海力士等多家厂商占据较大份额。三星占比最大，超过 30%，其次为铠侠，占比为 20%左右。美光、西部电子、海力士占比相差较小，均为 10%-15%，存在小幅波动。

• 中国存储芯片市场

从中国存储芯片行业的上市公司业务情况来看，兆易创新为国内行业龙头企业，2022年存储芯片业务营收达到48.26亿元，此外北京君正存储芯片业务营收达到40.55亿元，澜起科技互联类芯片业务营收在27.35亿元，其余企业营收规模较小，均在10亿元以下。整体来看，中国存储芯片企业产品仍处于投产初期，与国外存储芯片制造商相比竞争力仍然较弱。

目前，DRAM 和NAND 主要由三星、SK 海力士、美光等海外厂商掌控，国内厂商市占率较低，国产替代空间广阔。在NOR 方面，我国本土企业已占据一定的市场份额。

国内厂商多集中于利基型存储。从存储芯片的产品布局来看，海外巨头多聚焦于DRAM、NAND 主要领域等高端市场，业务重心在大容量存储产品。而国内存储厂商则主要布局于利基型存储，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash 等中小容量产品，代表厂商有华邦电子、旺宏电子、兆易创新、北京君正、东芯股份等。利基DRAM 方面，华邦、兆易创新、北京君正规模较大；SLC NAND 领域，东芯股份为本土SLC NAND 龙头，；NOR 方面，领先厂商包括华邦、旺宏、兆易创新等。目前，由于利基型存储竞争格局较为分散，且海外巨头正逐渐淡出利基型存储市场，随着国产化需求提升，具备研发能力的国内存储厂商将迎来良好的替代机遇。

4. AI服务器带来存储芯片的全新增量

根据TrendForce 调查数据，现阶段普通服务器DRAM（不含HBM）平均容量约为500~600GB，而AI 服务器平均容量可达1.2~1.7TB，所需DRAM 容量远高于普通服务器。与普通服务器相比，AI 服务器除原有DRAM 外还会用到HBM。AI 服务器由于需要在短时间内处理大量数据，追求的速度更高，对高带宽的需求大幅提升。

HBM即高带宽存储器，基于3D 堆叠工艺，其通过中介层（Interposer）连接至GPU 而非直接与GPU 集成。HBM 是当前数据处理速度最快的DRAM 产品，能为AI 服务器带来更高的效率以及更高的传输带宽，已成为高端GPU 的标配，是AI 服务器带来的全新增量。

HBM通过中介层（Interposer)与GPU连接

除了性能和功耗外，HBM 在节省产品空间方面也独具匠心。随着游戏玩家对更轻便高效的电脑追求，HBM 应运而生，它小巧的外形令人惊叹，使游戏玩家可以摆脱笨重的 GDDR5 芯片，尽享高效。此外，HBM 比 GDDR5 节省了 94% 的表面积！

受益于AI 服务器需求带动，HBM 市场规模持续增长。据TrendForce 数据，目前高端AI 服务器GPU 搭载HBM 已成为主流，预计2023 年全球HBM 需求量达2.9亿GB，年增长近六成，且2024 年将再增长三成。市场规模来看，根据Omdia 数据，2020 年全球HBM 市场规模为4.58 亿美元，预计2025 年将达到25 亿美元，年复合增长率为40.38%。